据彭博社6月26日报道,美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令,将涉嫌窃取美国存储大厂美光 DRAM 技术商业机密案的三位嫌疑人列入通缉名单,其中一人是福建晋华总经理陈正坤,另外两人是从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永明。

全面封杀之后 美国宣布逮捕福建晋华总经理陈正坤!-冯金伟博客园

在当地时间上周三的一场历时仅3分钟的听证会当中,在这三人未能出庭作证后,旧金山的一位联邦地方法官发布了针对这三人的逮捕令。

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△陈正坤

助理检察官霍恩(Laura Vartain Horn)表示,在上周一和被告律师交谈后,得知三名被告将不会出庭,于是向法官申请了逮捕令,她表示:“他们的客户基于不同的理由,而未出庭。对被告逐一发布逮捕令,是适当的行动,也符合政府要求。”

白领刑事诉讼辩护律师 Calvin Lee 表示,由于美国司法部宣布依据特别倡议把此案定义为特别诉讼,因此可能存在政治压力,要求对此案采取行动,并取得胜利。

在此背景之下,陈正坤、何建廷和王永明这三人均缺乏出庭的可能,同时由于这三人均为中国台湾地区居民,法律专家表示,中国内地和中国台湾都没有与美国签订引渡条约。

曾任检察官的Preston L. Pugh表示,就算美国无法让三人出现在美国法庭,被告也不能什么都不做,美国司法部或许也会要求台湾当局将三人引渡。

鉴于台湾当局亲美的一贯作风,有可能会配合美国政府引渡。

不过,从目前的情况来看,如果陈正坤等三人目前在中国大陆,只要拥有合法的居留权,那么基本没有被引渡至美国的风险。但是如果在台湾或者回到台湾,或者到与美国有引渡条约的国家,那么则有可能会被引渡。

另外,值得注意的是,2017年9月,台中地检署以违反营业秘密法等罪名起诉何建廷、王永铭,以及联电协理戎乐天三人以及联电。经2年9个月审理,今年6月,台湾地区法院就联电涉美光商业机密一案宣布判决结果,何建廷被判刑5年6个月,罚金500万新台币;王永铭被判4年6个月,罚金400万新台币;联电协理戎乐天判刑6年6个月,罚金600万新台币;联电被判处罚金1亿新台币,但仍可上诉至知识产权法院。

这两起案件都与联电与福建晋华的合作密切相关。

2016年2月,福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资,通过与联电技术合作,成立了DRAM芯片制造企业福建晋华电子。具体是由福建晋华出资,委托联电开发 DRAM 相关技术。据公开资料显示,晋华提供了三亿美元资金用于采购研发设备,并依进度陆续支付联电四亿美元,开发出的技术成果双方共有,整体技术完成后,再转移到晋华进行量产。

2017年2月,联电资深副总经理陈正坤出任晋华集成总经理。陈正坤曾担任美光公司购并的瑞晶电子总经理。

2017年9月,美光在台湾控告联电,指控从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM商业秘密,涉嫌将美光 DRAM 技术 泄漏给联电,帮助联电开发32nm DRAM。

2017年12月,美光又在美国加州联邦法庭起诉晋华与联电,称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权,包括存储芯片的关键技术,并交付福建晋华。

2018年1月19日,晋华就美光一系列在华销售的产品侵权,对美光提起诉讼,并于同日向福州市中级人民法院递交诉状,请求判令美光立即停止侵犯晋华专利的行为,并请求赔偿金额达人民币1.96亿元。

2018年7月3日,福州市中级人民法院裁定美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片,并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。

2018年10月19日,晋华集成总经理陈正坤从桃园机场入境,接获由台湾“法务部”官员受美国司法部委托转交的美国联邦法院传票。

2018年10月30日(美国时间10月29日),美国商务部以国家安全为由,宣布自10月30日起对晋华集成实施出口管制,被美国列入出口管制“实体清单”的中国企业。与此同时,联电表示与晋华集成的合作计划不受影响,将持续依合约开发技术。

2018年10月31日,联电宣布目前已接获台湾电机电子工业同业公会转发的“国贸局”函令,希望联电配合美国商务部要求,管制凌驾于晋华合约之上。联电高层经评估后,决定暂停与晋华集成的合作,等整件事情尘埃落定,再与晋华集成协商后续合作事宜。

2018年11月1日,美国加州北区联邦检察官办公室以刑事诉讼起诉晋华集成和联电共谋窃取美光商业机密,起诉书中指出涉案三名台湾男子,分别为陈正坤、何建廷(He Jianting,译音)、王永铭(Wang Yungming,译音),该三人全都曾任职美光,并疑似在转加入联电时窃取美光技术。

针对美国的“禁令”及窃取美光知识产权和机密的诉讼,福建晋华回应称,不存在窃取其他公司技术的行为!

2018年11月9日深夜,与福建晋华合作的联电也发表声明,否认相关指控,并称联电此前已积累了近15年制造DRAM产品的经验。

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