全球目前量产的 最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。
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- 业界
- 2021-06-29
2019年9月，半导体企业Cerebras Systems发布了，台积电16nm工艺制造，面积达46225平方毫米，内部集成了1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存，支持9PB/
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- 业界
- 2021-04-21
一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。
GAA FET将被用于3nm以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。
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- 业界
- 2021-02-21
来自的消息，该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏
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- 业界
- 2020-12-17
