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三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

作为全球NAND闪存市场的一哥，三星在3D闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8 ...
机械革命无畏14

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