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国产SSD奋起直追：中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

国产SSD奋起直追：中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

国产存储芯片正蓬勃发展，代表企业有合肥长鑫（DRAM）、武汉长江存储等。 日前，韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出，中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年，NAND闪存芯片则已经缩短至2年。 ...
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