在昨日（10月14日）业绩会上公布三季度财报后，台积电还透露了先进制程的最新进展。
“E”的后缀说实话比较新鲜，毕竟7nm增强版、5nm增强版都是用“P”做后缀，不知道E代表底气更足还是更差了，谨慎猜测是后者。
按照此前披露的信息，第一代3nm（N3）的功耗将比5nm降低25~30%，性能提升10~15%，晶体管密度提升70%。纵向对比的话，弱于5nm之于7nm的变化，坦率来说，有些让人失望。
另外，针对部分特定需求客户，台积电还有4nm在准备，它可以视为5nm的改良版，晶体管密度提升6%，同时制造流程简化，换言之，良率会更高。
在微观层面，台积电的3nm仍旧是FinFET晶体管结构，这预计也是FinFET的谢幕之作。Intel、三星、台积电都将悉数向GAA（环绕栅极）晶体管过渡，其中Intel称之为RibbonFET，拥有独家的PowerVia背面电路技术。
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