前不久Intel宣布即将举行一次重要会议，今天凌晨这个会议正式召开，介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图，而且Intel真的改名了，10nm工艺变成了Intel 7，7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。

Intel是坚定的摩尔定律捍卫者，尽管每代工艺的技术指标是最强的，但在进度上确实已经落后于台积电、三星，现在量产了10nm工艺，台积电已经是第二代5nm工艺了，明年还有3nm工艺。

工艺命名上始终落后对手，对Intel来说宣传很不利，早前网友调侃说Intel应该把10nm改成7nm，毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平，没想到这个调侃成真，Intel这次真的改名了，但改的方式也有点独特。

此前的10nm Enhanced SuperFin工艺改为Intel 7——对，没有7nm字样，官方就叫做Intel 7，你当7nm也行，但Intel没明确说是7nm，这次就是改了，但又没改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工艺，Intel 7工艺的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介绍性能提升的方式也变了，说的是每瓦性能），首先应用于今年底的Alder Lake，数据中心处理器Sapphire Rapids则会在明年用上Intel 7工艺。

这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，2022年下半年开始生产，2023年产品出货，就是之前的7nm Meteor Lake处理器。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺，是最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。

再往后Intel也会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA晶体管，新工艺名为Intel 20A，会升级到两大突破性技术——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel独创的供电技术，后者是GAA晶体管的Intel技术实现，预计2024年问世。

2025年及之后的工艺还在开发中，命名为Intel 18A，会继续改进RibbonFET工艺，同时会用上ASML下一代的高NA EUV光刻机，量产时间不定。