【CNMO科技消息】近日，英伟达代表再次造访三星电子位于韩国天安的封装工厂，对其HBM3E（高带宽存储）产品进行审查。这距离上次访问仅一个多月，表明三星向英伟达供货的最终质量检测正处于关键阶段。
据外媒报道，英伟达代表于3月10日前往三星天安工厂进行审查，关注HBM3E高带宽存储的封装和质量检测。这次审查紧随2月初的检查，显示英伟达对三星HBM3E的进度高度关注，希望确保其产品在本季度内能够顺利交付。
三星的天安工厂是其先进封装生产基地，负责对半导体晶圆进行最终封装，并利用硅通孔（TSV）技术完成HBM堆叠封装。由于HBM产品不仅需要自身通过验证，还要确保其与GPU等设备兼容，因此英伟达预计会频繁访问三星天安工厂，以确认生产进度是否符合预期。三星方面表示：“我们为英伟达的审查团队进行了多次准备，以确保审核顺利进行。”
三星在上月的财报电话会议上曾表示，计划本月内开始向主要客户供应HBM3E 8层堆叠产品，并在今年上半年进一步扩展至12层堆叠版本。目前距离第一季度结束仅剩20天，三星内部压力巨大，全力确保供货进度。
更值得注意的是，报道称三星甚至将原本负责HBM4研发的团队也调配至HBM3E的生产优化，全力提升良率和产品稳定性。业内人士透露，三星不仅在优化HBM3E生产，还在加快高端DRAM产品的良率提升，以增强市场竞争力。
目前，全球HBM市场由SK海力士主导，其HBM3E已获得英伟达H200等AI芯片的订单。而三星希望通过强化第四代10nm级（1a）DRAM的电路设计，优化HBM3E良率，以争取英伟达的订单，从而重塑HBM市场格局。
