东京电子开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备

10 月 17 日消息，东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

生产 3D NAND 需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。今年 6 月曾报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

东京威力科创希望凭借着这项技术挑战泛林集团，与现有方法相比，新的蚀刻方法至少将生产率提高了 2.5 倍。

东京威力科创表示这种技术对环境的有害影响也非常小，公司预估客户安装调试完成之后，可以在未来 2-3 年内开始生产 400 层 3D NAND 存储器；预估到 2027 年该领域产能比今年翻两番，达到 20 亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过 39 亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。

去年销售额达到 200 亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以 25% 的份额屈居第二，而美国 Lam Research 公司继续领先，占据半壁江山。

过去五年来，东京电子的研发支出增加了 77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的 13.4 亿美元（备注：当前约 97.95 亿元人民币）。