消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正采购新设备备产 236 层 NAND

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10 月 16 日消息，上周一，三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据 Business Korea 报道，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并已开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备，这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。

公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司 2012 年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。

该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元（备注：当前约 794.6 亿元人民币），2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元（当前约 1096.5 亿元人民币）。

外媒认为，三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球 NAND 市场环境没有表现出明显的复苏迹象，而在这种情况下三星需要保持其在 NAND 市场的全球领导地位；另一个原因就是美国刚刚发布的无限期豁免。

由于产能严重过剩，再加上去年年底以来全球 IT 市场需求严重低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的 NAND 业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。即使在通过减产政策略降低产量后略有改善，但目前三星依然需要尽快实现工艺升级。

通过升级最新的第 8 代 NAND 产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。

据称，作为第 6 代（128 层）V-NAND 主要生产基地，西安工厂自三星 4 月份宣布减产以来，其开工率也出现了大幅下降，目前整体开工率已降至 20% 左右。

外媒认为，美国虽然暂时放宽了对中国半导体设备的限制，但这对于三星和 SK 海力士来说仅仅只是一个暂时的喘息机会。