紫外超分辨光刻机可以在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。但简单来说，目前也没法实现商用的。

我国在芯片制造领域取得新突破！

经过近七年艰苦攻关，“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这意味着，现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。

换句话说，我国科学家研制成功了一种非常强大的光刻机。

光刻机，那可是芯片制造的核心装备。我国一直在芯片行业受制于人，在光刻机领域更是如此，时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

对于这次的突破，验收专家组的意见是：

该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。

项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。

消息一出，很多人都纷纷称赞，但大多数都是不明觉厉，当然也有人说是吹牛。这个消息背后，到底意味着什么呢？

这个突破亮点很多，其中最值得关注的有几个点，量子位简单总结如下：

光源：粗刀刻细线

这个国产的光刻机，采用365纳米波长光源，属于近紫外的范围。

通常情况下，为了追求更小的纳米工艺，光刻机厂商的解决方案是，使用波长越来越短的光源。ASML就是这种思路。

现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193纳米波长深紫外激光，光刻分辨力只有38纳米，约0.27倍曝光波长。

这台国产光刻机，可以做到22纳米。而且，“结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。

也就是说，中科院光电所研发的这台光刻机，用波长更长（近紫外）、成本更低（汞灯）的光源，实现了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波长）。

项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时，打了一个比方：“这相当于我们用很粗的刀，刻出一条很细的线。”

这就是所谓的突破分辨力衍射极限。因此，它也被称为世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。

成本：高端设备“白菜价”

波长越短，成本越高。

为获得更高分辨力，传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但问题在于不仅技术难度极高，装备成本也极高。

ASML最新的第五代光刻机使用波长更短的13.5纳米极紫外光（EUV），用于实现14纳米、10纳米、及7纳米制程的芯片生产。

一台这样的光刻机售价1亿美元以上。

而中科院光电所这台设备，使用波长更长、更普通的紫外光，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

有网友评价称，中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样，以后也成了白菜价。

突破：破局禁运，弯道超车

这台光刻机的出现，还有另一个重要的意义。

这里我们引用央广的报道：超分辨光刻装备项目的顺利实施，打破了国外在高端光刻装备领域的垄断，为纳米光学加工提供了全新的解决途径。

也为新一代信息技术、新材料、生物医疗等先进战略技术领域，基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。

项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松介绍：“第一个首先表现于我们现在的水平和国际上已经可以达到持一致的水平。

分辨率的指标实际上也是属于国外禁运的一个指标，我们这项目出来之后 对打破禁运有很大的帮助。”

“第二个如果国外禁运我们也不用怕，因为我们这个技术再走下去，我们认为可以有保证。

在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片（研制领域），有可能弯道超车走在更前面。”

局限

当然，我们也不能头脑发热。

这个设备的出现，并不意味着我国的芯片制造立刻就能突飞猛进。

一方面，芯片制造是一个庞大的产业生态，另一方面中科院光电所的光刻机还有一定的局限。

据介绍，目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片等。

验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。

也就是说，目前主要是一些光学等领域的器件。

不过也有知乎网友表示“以目前的技术能力，只能做周期的线条和点阵，是无法制作复杂的IC需要的图形的”。