3月9日早盘，光刻胶概念延续强势。截至发稿，光刻胶指数大涨超6%。容大感光“20cm”涨停，彤程新材涨停，上海新阳涨超11%，强力新材、南大光电、广信材料等多股跟涨。

值得注意的是，容大感光已连续两日涨停。

消息面上，荷兰政府拟提议限制浸没式DUV光刻机的出口，该提议预计将在夏季之前公布。阿斯麦对此回应，“额外的出口管制并不涉及所有的浸没式光刻机，而只适用于‘最先进的’系统。”由于没有收到明确定义，阿斯麦将“最先进的”解读为“TWINSCANNXT:2000i及后续的系统。”

除此之外，昨日的消息面的联动发酵。某日本某光刻胶大厂已经执行美国“实体清单”的限制要求，对中国大陆某存储晶圆厂断供了KrF光刻胶。同时，容大感光昨日午间披露机构调研时表示，公司的干膜光刻胶、显示用光刻胶、半导体光刻胶等产品已经面向市场实现了批量销售，其中部分产品已进入核心客户的供应链体系。同益股份近期在互动平台回复称，公司引进光刻胶基材，部分客户有少量销售。金力泰亦在互动平台提到，子公司超微弧氧化技术可应用于光刻机设备零部件的表面处理。

多重消息影响下，半导体“国产替代”情绪升温，在容大感光的带动下，光刻胶概念躁动频频。

管制只适用于“最先进的”系统

荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）9日上午发布声明表示，ASML预计必须申请许可证方可出口DUV设备。同时公司还表示“新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求。

”荷兰政府在3月8日表示，计划对半导体技术出口实施新的管制。据悉，决定是由荷兰贸易部长Liesje Schreinemacher在致荷兰议会的一封信中宣布的。信中称，这些管制措施将在今天夏天之前开始实施。

尽管信中并没有指名道姓地点出ASML和其合作伙伴，但是ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。

国内厂商光刻胶格局

根据资料显示，光刻胶产品按照下游应用领域分为半导体光刻胶（IC光刻胶）、PCB光刻胶、LCD光刻胶。其中，半导体光刻胶技术难度最大，其根据曝光波长分为i线光刻胶(365nm)、KrF光刻胶(248nm)、ArF光刻胶(193nm)等，曝光波长越短，适用IC制程工艺越先进。当前，我国半导体光刻胶市场主要由外资企业垄断，国产化程度较低。

近年来，在国内全方位、多角度的产业支持下，国内半导体国产化水平不断提升，特别是2018年以来美国缩紧对华半导体产业制裁，国产替代持续加速。

目前，在制造端和设备端，国产化率均得到快速提升，自主化产业链初具雏形，近5年来IC设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等各环节中均有部分细分赛道的国产化率实现快速提升。

PCB光刻胶主要分为干膜光刻胶、湿膜及阻焊油墨。其中，干膜光刻胶几乎全进口，湿膜及阻焊油墨国产化率约为50%，国内代表厂商为容大感光、东方材料等。

LCD光刻胶主要分为CF彩色光刻胶、CF黑色光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶。前两者国产化率均为5%，TFT-LCD正性光刻胶大部分进口。

而最受业界关注的，当属半导体光刻胶。半导体光刻胶可分为g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶和EUV光刻胶。

g线光刻胶适用的逻辑制程工艺为0.5微米以上；i线光刻胶适用为0.5微米；KrF光刻胶适用0.25微米-0.11微米；ArF光刻胶适用90纳米-7纳米，EUV光刻胶适用7纳米及以下。

晶圆尺寸方面，g线光刻胶适用6英寸；i线光刻胶适用6英寸、8英寸；KrF光刻胶适用8英寸；ArF光刻胶、EUV光刻胶适用12英寸。

半导体光刻胶国产化方面，g线光刻胶、i线光刻胶国产化率为10%。g线光刻胶、i线光刻胶代表厂商有容大感光、苏州瑞红（晶瑞新材子公司）、北京科华和徐州博康。

KrF光刻胶、ArF光刻胶国产化率仅为1%，国内代表厂商为上海新阳（SZ300236，股价34.60元，市值108.43亿元）、南大光电、苏州瑞红、北京科华和徐州博康。

浙商证券蒋高振在近期研报中指出，根据SEMI数据显示，2021年全球半导体光刻胶市场中，中国大陆市场保持最快增速，同比增长43.69%。受益于半导体行业技术进步带来的KrF胶和ArF胶单价值量和总需求快速提升，预测国内半导体光刻胶市场有望以高于全球的增速持续增长。

不过也需要注意到，国内半导体产业在关键芯片及设备领域的国产化率仍处于较低水平，高端国产替代还任重道远。此外，受终端消费不景气影响，目前半导体行业的寒意未散，国外巨头对一季度前景普遍偏悲观。

因此，中长期角度来看，半导体国产替代是大势所趋，行业前景广阔。但短期仍不建议太过乐观，切忌盲目追高。