日前，，全球首家突破200层，已经投入量产。
新闪存走的还是TLC，首次引入6个平面，存储密度创新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50％，读取带宽提升785％，写入带宽提升10％，封装面积减小28％，还首发支持NVLPDDR4内存。
不过只过了两天，韩国闪存巨头SK海力士就宣布，计划今年内试产238层的NAND闪存，并在明年上半年量产，比美光多了6层。
SK海力士没有透露238层闪存的技术细节，只是说各家的技术路线图、产品发布节奏不同，SK海力士的首要目标是实现行业最高的盈利水平。
另外，SK海力士计划今年将176层闪存的出货比例提高到70％，并进一步提升毛利率。
国际巨头你追我赶，国产闪存也没停下。
但何时量产尚无明确时间表，有说法称今年底就可以，还有的说快则2023年底慢则2024年。
果真如此的话，国产闪存与国际最先进水平的差距，也就一年多点。
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