2019 年，中芯国际量产了国内最先进的 14nm 工艺制程，并已为华为麒麟 710A 处理器等进行代工。目前，中芯国际正在回归A股上市，计划募资 200 亿元，主要就是投入 14nm 等先进工艺的开发。

　　6 月 7 日晚间，中芯国际在上交所公布了对第一轮审核问询函的回复，仅用 4 天，创造了一个新纪录，而在六大类、29 个问题中，最引人关注的当属对于新工艺细节的披露。

　　中芯国际表示，14nm 晶圆代工产能正处于初期布局阶段，因此全球份额相对较低，不过第一代 14nm FinFET 技术已进入量产阶段，而且技术上处于国际领先水平，且具有一定的性价比，目前已同众多客户开展合作，预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

　　中芯国际透露，利用其先进 FinFET 技术在晶圆上所制成的芯片，已应用于智能手机领域。虽未进一步明确，但显然指的就是华为麒麟 710A。

　　在下一代技术节点的开发上，全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家，第二代 FinFET 技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约 20% ，功耗降低约 60%。

　　中芯国际表示，14nm 及以下先进工艺主要应用于 5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域，未来发展前景广阔，而随着相关应用领域持续发展，先进工艺的市场需求将持续上升，市场份额将不断扩大，成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。

　　根据招股书披露，中芯国际本次计划发行不超过 16.86 亿股新股，预计募资 200 亿元人民币，计划分别投入中芯南方正在进行的 12 英寸芯片 SN1 项目（80 亿元）、先进及成熟工艺研发项目储备资金（40 亿元）、补充流动资金（80 亿元）。

　　其中，12 英寸芯片 SN1 项目是中国大陆第一条 14nm 及以下先进工艺生产线，规划月产能为 3.5 万片晶圆，目前已建成月产能 6000 片。

　　本次问询中，中芯国际又对募集资金投资项目的风险进行了补充披露：12 英寸芯片 SN1 项目的总投资额为 90.59 亿元美元，其中生产设备购置及安装费达 733016 万美元。

　　SN1 项目达产后将会贡献额外的先进制程收入，但同时带来较高的折旧成本压力。 随着 14 纳米及下一代制程的产线投产、扩产， 公司一定时期内会面临较大的折旧压力，该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平，存在经济效益不达预期，甚至产生较大额度亏损的风险。

　　此外，中芯国际还对研发费用率远高于同行的原因及合理性进行了说明。数据显示，2019 年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体的研发费用分别为 211 亿元、47 亿元、27 亿元、4 亿元，相应占营收比重分别为9%、22%、8%、7%。

　　中芯国际表示，为加强在先进制程方面的技术实力，公司不断加大先进制程的研发投入，相继实现了 28nm HKC+ 工艺、第一代 14nm FinFET 工艺的研发和量产，第二代 14nm FinFET 工艺的研发也在稳健进行中，并不断拓展成熟工艺应用平台，因此公司研发费用率高于可比上市公司。