光刻机是半导体制造中的核心设备之一，EUV光刻机全球也只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机，使用的是X射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。
光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。
俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)现在就接下了贸工部的6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币），也要开发制造芯片的光刻机，而且号称要达到EUV级别，但技术原理完全不同，他们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。
X射线光刻机使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光还要短，因此光刻分辨率要高很多。
此外，X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻，这也节省了一大笔费用。
从相关资料来看，全球确实没有能达到规模量产的X射线光刻机，不过这种技术并不是现在才有，不仅美国、欧洲研究过，国内也有科研机构做了X射线光刻机，只是生产芯片的效率跟ASML的光刻机不能比的，只适合特定场景。
不过俄罗斯在X射线及等离子之类的技术上有深厚的基础，倒是可以期待下他们在新型光刻机上能走多远。
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